고전압 트랜지스터 기술의 혁신 도약: 인피니언 개발팀, 세계 최초의 3300V 전압 클래스 수직 채널 트렌치 MOSFET 실리콘 카바이드 MOSFET을 생산 준비 단계에 이르 게 했습니다 새로운 SiC 모듈 계열은 스위칭 손실을 90% 줄이며, 열차 운행이나 태양광 발전소 및 풍력 터빈에서 전력 생산을 할 때 상당한 에너지 절감을 가능하게 합니다 11월 27일, 연방 대통령은 올해 수상자들에게 독일 미래상을 수여할 예정입니다. 독일 뮌헨 – 2024년 9월 11일 – 인피니언 테크놀로지스 AG(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)는 혁신적인 반도체 소재인 실리콘 카바이드(SiC)를 기반으로 한 새로운 에너지 절약 칩 개발로 독일 미래상(German Future Prize , 독일 대통령 기술 및 혁신상) 후보에 올랐습니다. 심사위원단은 오늘 뮌헨에서 세 팀에 지명된 팀을 발표했습니다. 인피니언 개발팀은 켐니츠 공과대학교와 협력하여 3300

인피니언의 획기적인 300밀리 GaN 기술은 빠르게 성장하는 GaN 시장을 형성할 것입니다 인피니언은 기존의 300mm 대량 실리콘 제조 방식을 활용해 GaN 생산에서 자본 투입 효율을 극대화할 것입니다 300밀리미터 GaN 제조는 시간이 지남에 따라 실리콘과 비용 균형을 달성하는 데 도움이 될 것입니다 독일 뮌헨과 오스트리아 빌라흐 - 2024년 9월 11일 – 인피니언 테크놀로지스 AG(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)는 오늘 전력 전자용 세계 최초의 300mm 질화갈륨(GaN) 웨이퍼 기술 개발에 성공했다고 발표했습니다. 인피니언은 기존의 확장 가능한 대량 생산 시설에서 이 획기적인 기술을 세계 최초로 마스터한 회사입니다. 이 돌파구는 GaN 기반 전력 반도체 시장을 크게 발전시키는 데 기여할 것입니다. 300밀리미터 웨이퍼에서의 칩 생산은 200밀리미터 웨이퍼보다 기술적으로 더 발전하고 효율적입니다. 더 큰 웨이퍼 직경 덕분에 웨

2024년 8월 19일, 서울 – DCDC 컨버터는 모든 전기자동차와 하이브리드 자동차에서 고전압 배터리를 저전압 보조 회로에 연결하는데 필수적이다. 저전압 보조 회로에는 12V 단에는 파워 헤드라이트, 실내조명, 와이퍼와 창문 모터, 팬 등이...

전력 반도체 분야의 글로벌 리더인 인피니언의 역할을 강화 100% 친환경 전기로 운영되는 쿨림 팹은 첨단 에너지 효율과 지속가능성을 구현   2024년 8월 8일, 서울 – 전 세계적인 탈탄소화 노력으로 전력 반도체...

2024년 7월 30일, 서울 – 인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 임베디드, 에지(Edge) AI 및 머신 러닝(ML) 시스템 디자인을 위한 포괄적인 평가 키트를 출시한다고 밝혔다. 새로운 PSoC™ 6 AI 평가 키트는 스마트...

2024년 7월 23일, 서울 – 자동차 업계의 트렌드는 대시보드에서 버튼과 컨트롤이 사라지고 첨단 디스플레이로 대체되는 디지털 콕핏으로 향하고 있다. 차량의 핵심 시스템 중 하나인 디지털 콕핏 시스템은 기능안전 목표를 충족하면서 차량 사용자에게...

2024년 7월 1일, 서울 – 인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 새로운 CoolGaN™ 트랜지스터 700V G4 제품군을 출시한다고 밝혔다. 이 제품군은 최대 700V의 전압 범위를 가지고 있어 전력 변환에 매우 효율적이다....

2024년 6월 26일, 서울 – 인공 지능(AI) 프로세서의 전력 요구량이 증가함에 따라 서버 전원공급장치(PSU)는 서버 랙의 지정된 규격을 넘지 않으면서 점점 더 많은 전력을 제공해야 한다. 이는 2020년대 말까지 칩 당 2kW 이상을...